Description de l’entreprise

NXP Semiconductors permet des connexions sécurisées et des infrastructures intelligentes pour un monde plus connecté, en développant des solutions qui rendent la vie plus simple, meilleure et plus sûre. Leader mondial des solutions de connectivité sécurisée pour les applications embarquées, NXP stimule l’innovation dans les véhicules connectés sécurisés, la sécurité et la confidentialité de bout en bout, ainsi que les solutions intelligentes connectées.

Description de la Business Unit

La ligne de produits Smart Front-End & Interfaces de NXP développe des produits avancés basés sur les technologies millimétriques (mmWave). Cette activité vise à faire le lien entre les interfaces filaires à très haut débit et les technologies sans fil millimétriques afin de proposer des solutions innovantes pour les marchés grand public, informatique et industriel. Atteindre des débits de données ultra-élevés tout en maintenant une faible consommation d’énergie, une sensibilité suffisante et une robustesse de fonctionnement représente des défis majeurs tant au niveau de l’architecture que de la conception des circuits. Relever ces défis offre l’opportunité d’explorer de nouveaux concepts de communication et de contribuer au développement des futures solutions sans fil intégrées.

Vos missions

Dans le cadre de ce stage, vous serez amené(e) à :

• Étudier les limites des architectures d’amplificateurs à auto-zéro existantes dans les technologies CMOS avancées.
• Explorer des structures innovantes visant à améliorer la précision et la robustesse des circuits.
• Réaliser des simulations de niveau transistor afin d’évaluer l’offset, le bruit, la bande passante et la stabilité.
• Concevoir, implémenter et optimiser les architectures retenues.

Résultats attendus

Démonstration des architectures sélectionnées à travers des résultats de simulation. Rédaction d’un rapport technique et formulation de recommandations de conception. Possibilité de poursuivre les travaux dans le cadre d’un mémoire de fin d’études, d’un doctorat ou d’un poste permanent en R&D.

Profil recherché

Niveau d’études : Dernière année d’école d’ingénieurs en électronique.

Compétences requises :

• Bonne compréhension des fondamentaux de la conception de circuits analogiques et du fonctionnement des transistors MOS.
• Maîtrise des outils de conception et de simulation Cadence (Virtuoso, Spectre, Maestro).
• Anglais courant, à l’oral comme à l’écrit.
• Enthousiasme, curiosité et forte capacité d’apprentissage.

Company Description

NXP Semiconductors enables secure connections and infrastructure for a smarter world, advancing solutions that make lives easier, better, and safer. As a global leader in secure connectivity solutions for embedded applications, NXP drives innovation in secure connected vehicles, end-to-end security and privacy, and smart connected solutions.

Business Unit Description

NXP’s Smart Front-End & Interfaces product line develops advanced millimeter-wave technology products. This activity focuses on bridging high-speed wired interfaces with millimeter-wave wireless technologies to deliver innovative solutions for consumer, computing, and industrial applications. Achieving ultra-high data rates while maintaining low power consumption, sufficient sensitivity, and robust operation raises significant architectural and circuit-level challenges. Addressing these challenges provides an opportunity to explore novel communication concepts and contribute to the development of future integrated wireless solutions.

Your Responsibility:

As part of this internship, you will:

• Investigate limitations of existing auto-zero amplifier designs in advanced CMOS technology.
• Explore innovative structures to improve accuracy and robustness.
• Perform transistor-level simulations to evaluate offset, noise, bandwidth, and stability.
• Implement and optimize the design.

Expected Outcomes:

Demonstration of selected architectures through simulation results. Technical report and design recommendations. Potential continuation through a Master thesis, PhD program, or permanent R&D position.

Your profile

Level of studies: Last year of electronics engineering school.

Knowledge required

• Good understanding of analog circuit design fundamentals and MOS transistor operation.
• Familiarity with Cadence design and simulation tools (Virtuoso, Spectre, Maestro).
• Fluent in English language both oral and written.
• Demonstrate enthusiasm and strong capability to learn.

More information about NXP in France...

#LI-3842